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單晶硅生長爐的特點HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。全自動控制系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，維護(hù)方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實時采集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復(fù)性。爐內(nèi)溫度或加熱功率控制方式可選，?？販鼐?。質(zhì)量流量計控制流量。真空計結(jié)合電動蝶閥實時控制爐內(nèi)真空度。藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，DL-78型單晶爐的熱場和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不斷擴(kuò)大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地，作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標(biāo)和增大單晶錠的直徑和長度，以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國外市場上，硅晶體直徑大致每4～5年增長1時（25．4mm），相應(yīng)地，生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3～5公斤、8～12公斤、15～劉公斤和朋～6O公廳等幾個等級。在這發(fā)展中，有兩個條件是相輔相成、共同進(jìn)步的，這是單晶爐和拉晶工藝。

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除塵機(jī)理示、擴(kuò)散當(dāng)含塵氣流中的粉塵顆粒粒徑小于1Lm 以下,特別小于0.1Lm 時，這些顆粒在隨氣流運(yùn)動時不再沿著氣體流線繞流捕集物，因而也再不能遵循慣性碰撞或接觸阻留的機(jī)理被捕集物所捕集分離，而另一捕集機(jī)理——擴(kuò)散在起作用。由于氣體分子之間的熱運(yùn)動而產(chǎn)生的不規(guī)則運(yùn)動，使氣體分子之間的熱運(yùn)動而產(chǎn)生的不規(guī)則運(yùn)動，使氣體分子轟擊著粉塵顆粒而使顆粒作擴(kuò)散，可以使粉塵顆粒均勻地分布于整個氣體空間。真空技術(shù)網(wǎng)(認(rèn)為如果有一物體置于氣體之中，一些超微顆粒通過擴(kuò)散而沉降在這物體的表面上，從而使這些超微顆粒從氣體中捕集分離、靜電力懸浮在氣流中的塵粒，如帶有一定的電荷，可以通過靜電力使它從氣流中分離。由于自然狀態(tài)下，塵粒的荷電量很小，因此，要得到較好的除塵效果，設(shè)置的高壓電場，使所有的塵粒都充分荷電。凝聚凝聚作用不是一種直接的除塵機(jī)理。通過超聲波、蒸汽凝結(jié)、加濕等凝聚作用，可以使微小粒子凝聚增大，然后再用一般的除塵方法去除。我們設(shè)計除塵器時要根據(jù)不同的具體情況，考慮一定的需要，采用某種除塵機(jī)理或者是幾種除塵機(jī)理的綜合運(yùn)用。表1 列出幾種除塵機(jī)理的除塵情況供為參考。