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單晶硅生長爐原理簡介單晶硅生長爐的特點\單晶硅生長爐是通過直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設備。主要由主機、加熱電源和計算機控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機部分：機架，雙立柱\雙層水冷式結構爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉機構\坩堝提升及旋轉機構\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動爐壓檢測控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進口IG及超快恢復二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構成新一代高頻開關電源。采用移相全橋軟開關（ZVS）及CPU控制技術，提高了電能轉換效率，不需要功率因數(shù)補償裝置。3、計算機控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機，配備大屏幕觸摸式HMI人機界面、高像素CCD測徑 ADC系統(tǒng)和具有知識產(chǎn)權的“全自動Cz法晶體生長SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉肩—等徑—收尾—停爐全過程自動控制。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術/單晶爐是單晶體生長設備。單晶體生長要求在真空和惰性氣體中進行。真空裝置應能保爐體內(nèi)熱真空度達5×1024mm 柱以上。如果使用惰性氣體作保護氣氛，爐體上、下都設有進出氣的氣口。生長單晶體時，抽真空及真空裝置注入惰性氣體后都需配備除塵裝置。西安理工大學工廠生產(chǎn)的混合式除塵器較好地解決了這一問題。本廠單晶爐系列：TDR262A (B)、TDR280、TDR270A 等多種爐型近百臺產(chǎn)品都使用這種除塵器。實踐明，它的主要優(yōu)點是除塵，能適應不同抽氣階段真空度的要求，容塵量大。其具體結構見圖2、圖3。該除塵器綜合運用離心力、慣性碰撞、接觸阻留、擴散這幾種除塵機理。

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采用三相橋式全控整流電路將交流電整流為直流電，例如據(jù)把一根金屬圓柱體放在有交變中頻電流的感應圈里，金屬圓柱體沒有與感應線圈直接接觸，通電線圈本身溫度已很低，可是圓柱體表面被加熱到發(fā)紅，甚熔化，而且這種發(fā)紅和熔化的速度只要調(diào)節(jié)頻率大小和電流的強弱能實現(xiàn)。