名稱：平板式可控硅的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種平板式可控硅。
背景技術(shù)：
可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優(yōu)點，發(fā)展迅猛。在世紀(jì)應(yīng)用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質(zhì)難控制等特點，其加工要求非常高，且封裝時需要經(jīng)過焊接在內(nèi)的多道工序，工藝復(fù)雜，成本高，封裝后良率偏低，返工需破壞性地拆封。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關(guān)電源、電機控制、變焊機、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動裝置、電梯或傳動設(shè)備、機車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個電極：陽極、陰極和控制極。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅的出現(xiàn)使得半導(dǎo)體技術(shù)由弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通業(yè)等各行各業(yè)爭相使用的元件，可控硅整流元件的簡稱，有時也將其稱為晶閘管?？煽毓枋且粋€具有三個PN結(jié)、四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、功能強、抗高，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電視機、電冰箱、無線電遙控、攝像機、定時控制器等設(shè)備中。

可控硅模塊的優(yōu)點：
可控硅模塊體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。

晶閘管的種類：
1、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種；
2、按引腳和性分類：晶閘管按其引腳和性可分為二晶閘管、三晶閘管和四晶閘管；
3、按封裝形式分類：晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和（快速）晶閘管。

晶閘管導(dǎo)通的條件：
1、晶閘管陽與陰間接正向電壓；
2、控制與陰之間也接正向電壓(實際工作中,控制加正觸發(fā)脈沖信號)；
晶閘管導(dǎo)通后，控制便失去作用。依靠正反饋，晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。
關(guān)斷晶閘管的方法：將陽電壓降低到足夠小或加瞬間方向陽電壓、將陽瞬間開路。
晶閘管的過電流保護(hù)：
1、過電流：當(dāng)流過晶閘管的電流有效值超過它的額定通態(tài)平 均電流的有效值時，稱為過電流；
2、原因：負(fù)載過重，輸出回路短路等；
3、過電流保護(hù)：當(dāng)發(fā)生過電流時，能迅速將電流切斷，以防晶閘管損壞；
4、措施：靈敏過電流繼電器保護(hù)、快速熔斷器保護(hù)等；
5、快速熔斷器 。