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除塵器內(nèi)的空間由圓柱容器經(jīng)上、下蓋密封形成，整個空間分成兩大區(qū)域：除塵區(qū)域和排氣區(qū)域。含塵氣流由切線進氣口進入除塵區(qū)域，沿外壁由下而上螺旋形旋轉(zhuǎn)運動。氣流作旋轉(zhuǎn)運動時，塵粒在慣性離心力的推動下，要向圓柱容器內(nèi)壁移動。到達內(nèi)壁的塵粒在氣流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。這種情況，離心力是除塵器的主要作用力，塵粒與氣流分離界面是圓柱容器的內(nèi)壁。還有，圓柱容器內(nèi)設置內(nèi)外兩層金屬網(wǎng)，內(nèi)層金屬網(wǎng)纏繞于內(nèi)側(cè)的6 根金屬桿上。外層金屬網(wǎng)纏繞于外側(cè)的8 根金屬桿上。這14 根金屬桿被固定在上盤和盤上。它們固聯(lián)于圓柱容器上法蘭。圓柱容器設置的排氣筒是排氣區(qū)域。

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直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術(shù)領域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術(shù)：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導流筒，IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內(nèi)不斷充入，并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合，由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，產(chǎn)品介紹：SG-XQL1400型箱式真空氣氛爐以硅碳棒為加熱元件，，采用智能化控溫系統(tǒng)，移相觸發(fā)、可控硅控制；爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，保溫效果好；雙層殼體結(jié)構(gòu)，帶有風冷和水冷系統(tǒng)，能快速降溫，爐門配有循環(huán)水冷，防止密封圈過快老化，保爐門與爐膽的可靠密封。主要用途和適用范圍\可應用于電子元器件、新型材料及粉體材料的真空或氣氛條件下的熱處理工藝。也用于冶金、機械、輕工、商檢、高等院校及科研部門、工礦企業(yè)電子陶瓷產(chǎn)品的預燒、燒結(jié)、釬焊等工藝。主要功能和特點：1、