終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱。

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等?？煞譃楣β蔍C和功率分立器件兩大類，二者集成為功率模塊（包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊）。隨著電力電子模塊的功率密度、工作溫度及其對可靠性的要求越來越高，當(dāng)前的封裝材料已經(jīng)達(dá)到了應(yīng)用極限。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以廣泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片的Diffusion Soldering（擴(kuò)散焊）技術(shù)。簡而言之，就是在特定溫度和壓力條件下，使得SiC芯片的背面金屬，與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴(kuò)散，形成可靠的冶金連接，以釜底抽薪之勢，一舉省去中間焊料，所謂大道至簡、惟精惟一，惟GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片。一言以蔽之：采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片時(shí)，降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻，同時(shí)提高器件可靠性。