現(xiàn)如今，人們的無論是生活當(dāng)中還是工作當(dāng)中，幾乎都離不開智能電子產(chǎn)品。一旦脫離了智能電子產(chǎn)品，人們在許多的地方都會非常的不方便，但是智能電子產(chǎn)品的出現(xiàn)，也給社會發(fā)展造成新的問題，那就是廢舊電子元件垃圾。

要吃肉就得先挨餓，看到5G這塊肥肉，想爭想搶，那需要懂得舍棄舊技術(shù)、舊產(chǎn)品，把一年前的舊ic芯片、舊主板、舊成品、舊半成品該“扔”得扔，把舊產(chǎn)品換個殼、換種支持模式就想成為手機(jī)生產(chǎn)大戶？那是欺騙市場，肯定不會在中午被淘汰。只有大力發(fā)展新技術(shù)才是王道。

新一代比老一代：頻率更高、容量更大、速度更快、電壓更低，DDR4加快普及中，成為市場主流，不同代內(nèi)存條可通過內(nèi)存上的標(biāo)簽貼紙或看防呆口位置就可以分辨。

PBC板，pcb板（基板）是分等級的，普通條只有4層或6層，而內(nèi)存條是采用10層甚至12層pcb板，層數(shù)越多，可以有更多的空間布線，電氣性能更佳，提高超頻性和穩(wěn)定性。

為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))。

Flash內(nèi)存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是按區(qū)塊擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快，所以被稱為Flash erase EEPROM，或簡稱為Flash Memory。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

電子回收
集成電路的技術(shù)水平和發(fā)展規(guī)模是衡量一個國家產(chǎn)業(yè)競爭力和綜合國力的重要標(biāo)志之一，芯片的研發(fā)與生產(chǎn)能力，也是衡量一個國家創(chuàng)新實力的重要指標(biāo)。
芯片制造，要將沙子，經(jīng)過篩選和熔煉，能夠冶煉出高純度的硅（Si），制作成硅錠，然后將硅錠切割成薄片，也就是晶圓（Wafer）開始，到后測試、切割、封裝，就成為了我們平時能夠看到的CPU芯片。整個制作流程，將近5000道工序，把數(shù)億個晶體管，在一片只有指甲蓋大小的硅晶片上制造出來，還要進(jìn)行復(fù)雜的邏輯設(shè)計，難度不亞于把全國的路網(wǎng)，規(guī)劃到這一點點的空間里面。
據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年半導(dǎo)體總銷量預(yù)計可達(dá)4510億美元(約2.86萬億元)，同期增長9.5%。中國是全世界大的半導(dǎo)體消費(fèi)國，占全球芯片需求量的超50%。