納米銀燒結(jié)成為碳化硅器件封裝核心工藝。相比于傳統(tǒng)的軟釬焊工藝，善仁新材的低溫納米銀燒結(jié)技術(shù)有利于提升產(chǎn)品的可靠性，使用的銀材料具有高導(dǎo)電率、高導(dǎo)熱率等特點(diǎn)，近年頗受業(yè)界關(guān)注。

在功率器件中，流經(jīng)焊接處的熱量非常高，因此需要更加注意芯片與框架連接處的熱性能及其處理高溫而不降低性能的能力。善仁新材的燒結(jié)銀的熱阻要比焊料低得多，因而使用燒結(jié)銀代替焊料能提高RθJC，而且由于銀的熔點(diǎn)較高，整個(gè)設(shè)計(jì)的熱裕度也提高了。

當(dāng)下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進(jìn)一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術(shù)已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結(jié)銀實(shí)現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。