氧化鋁球的制作方法：

氧化鋁粉用球機(jī)滾制，或者等靜壓后高溫?zé)Y(jié)。

氧化鋁球的種類：

根據(jù)氧化鋁的含量，可分為92氧化鋁球，95氧化鋁球，99氧化鋁球，其中叁鑫新材料的氧化鋁球的氧化鋁含量為99.9%。

鋰電池有高電壓，高容量的特點，就像芯片一樣，相同空間能有更多的構(gòu)造，可以提高鋰電池的電量，目前鋰電池正在更新迭代，原材料都在往納米的級別上行進(jìn)，其正負(fù)極材料都有氧化鋁球參與研磨。

氧化鋁工業(yè)發(fā)展出現(xiàn)了從發(fā)達(dá)國家轉(zhuǎn)向鋁土礦生產(chǎn)國家的明顯趨勢，新建氧化鋁廠靠近礦山和能源基地，近年來氧化鋁工業(yè)的另一個特點是工廠建設(shè)規(guī)模日益擴(kuò)大。如近幾年投產(chǎn)的蘇聯(lián)尼古拉耶夫氧化鋁廠規(guī)模為100萬噸廠年，愛爾蘭的奧吉·尼什氧化鋁廠規(guī)模為80萬噸/年，被稱為世界大的格拉德斯迪氧化鋁廠規(guī)模擴(kuò)大至275萬噸/年。工廠大型化使勞動生產(chǎn)率提高，單位產(chǎn)品投資與成本降低。歐洲和日本的氧化鋁工廠以生產(chǎn)粉狀氧化鋁為主，美洲則以生產(chǎn)砂狀為主。近年來由于廣泛采用大型預(yù)焙陽極中間下料電解槽，以及為滿足環(huán)境保護(hù)的要求，電解煙氣凈化由濕法改為干法，粉狀氧化鋁已無法滿足生產(chǎn)要求。因此，鋁電解用氧化鋁逐漸向砂狀型轉(zhuǎn)化。氧化鋁主要作為電解煉鋁生產(chǎn)金屬鋁的原料。(一噸金屬鋁約需2噸氧化鋁)1988年原鋁產(chǎn)量為1450萬噸左右，現(xiàn)在原鋁產(chǎn)量僅次于鋼鐵居各種有色金屬的。為了滿足原鋁增長的需要，世界許多國家正在大力發(fā)展氧化鋁工業(yè)。氧化鋁除主要供電解煉鋁用以外，花其它工業(yè)部門也得到了廣泛應(yīng)用。這種非電解煉鋁用氧化鋁屬于多品種氧化鋁。

用于表征氧化鋁物理性質(zhì)的指標(biāo)有：安息角、α-Al203含量、容重、粒度和比表面積以及磨損系數(shù)等。
1、安息角。氧化鋁安息角是指物料在光滑平面上自然堆積的傾角。安息角較大的氧化鋁在電解質(zhì)中較易溶解，在電解過程中能夠很好的復(fù)蓋于電解質(zhì)結(jié)殼上，飛揚(yáng)損失也較小。
2、a-Al2O3含量。氧化鋁中a-Al2O3含量反映了氧化鋁焙燒程度，焙燒程度越高，a-Al2O3含量越多，氧化鋁的吸濕性隨著a-Al2O3含量增多面變差。所以，電解用的氧化鋁要求含一定數(shù)量的a-Al2O3。但a-Al2O3在電解質(zhì)中的溶解性能較Υ-Al203差。
3、容重。氧化鋁的容重是指在自然狀態(tài)下單位體積的物料的重量。通常容重小的氧化鋁有利于在電解質(zhì)中的溶解。
4、粒度。氧化鋁的粒度是指其粗細(xì)程度。氧化鋁的粒度適當(dāng)，過粗在電解質(zhì)中溶解速度慢，甚至沉淀；過細(xì)則容易飛揚(yáng)損失。
5、比表面積。氧化鋁的比表面積是指單位重量物料的外表面積與內(nèi)孔表面積之和的總表面積。是表示物質(zhì)活性高低的一個重要指標(biāo)。比表面積大的氧化鋁在電解質(zhì)中溶解性能好，活性大，但易吸濕。
6、磨損系數(shù)。所謂磨損系數(shù)是氧化鋁在控制一定條件下的流化床上磨撞后，試樣中 粒級含量改變的百分?jǐn)?shù)。磨損系數(shù)是表征氧化鋁強(qiáng)度的一項物理指標(biāo)。

顆粒粒徑：粒徑越小，吸附容量越高，但粒徑越小，顆粒強(qiáng)度越低，影響其使用壽命。
（2）原水pH值：當(dāng)pH值大于5時，pH值越低，活性氧化鋁吸附容量越高。
（3）原水初始氟濃度：初始氟濃度越高，吸附容量較大。
（4）原水堿度：原水中重碳酸根濃度高，吸附容量將降低。
（5）氯離子和硫酸根離子。
（6）砷的影響：活性氧化鋁對水中的砷有吸附作用，砷在活性氧化鋁上的積聚造成對氟離子吸附容量的下降，且使再生時洗脫砷離子比較困難。

吸附劑及催化劑載體用氧化鋁是一種精細(xì)化學(xué)品，也是一種化學(xué)品。不同用途對物性結(jié)構(gòu)的要求不同，這就是其性強(qiáng)、品種牌號多的緣故。據(jù)統(tǒng)計，用氧化鋁作催化劑及載體的數(shù)量，比分子篩、硅膠、活性炭、硅藻土及硅鋁膠的催化劑總用量還多。由此可見氧化鋁在催化劑及載體中的舉足輕重的地位。其中η-Al2O3和γ-Al2O3又是重要的催化劑及載體，它們都是含有缺陷的尖晶石結(jié)構(gòu)，兩者的區(qū)別是：四面體的晶體結(jié)構(gòu)不同（γ>η），六方層的堆排規(guī)整性不同（γ>η）以及Al—O鍵距不同（η>γ，差值0.05～0.1nm）。