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從除塵區(qū)域經(jīng)上盤12 個圓孔進入排氣區(qū)域(排氣筒) 的棄塵氣流終由排氣口排出除塵器。上面主要論述了這種混合式除塵器的除塵機理和過程。值得提出的是，出于某些因素的考慮例如體積小、結(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟性等等，該除塵器略去了排塵區(qū)域。所以，應(yīng)該經(jīng)常性拆卸進行清灰工作。下面給出這種除塵器的主要技術(shù)參數(shù)：圓柱容器高度H = 900mm; 內(nèi)徑= á 270mm; 進氣口軸線偏離圓柱容器線e= 85mm; 進氣口與排氣口通徑均為á 89mm。內(nèi)、外層金屬網(wǎng)均采用50 目的不銹鋼絲網(wǎng)。順便提一下，在很多情況下，用戶拆去全部金屬桿和金屬網(wǎng)，僅以離心力作為主要除塵機理便滿足了單晶爐真空系統(tǒng)的除塵要求。

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而采用有限元法數(shù)值模擬是一種優(yōu)化單晶爐設(shè)計的重要工具。本文對采用矮加熱器的復(fù)合式熱場進行了數(shù)值模擬,得到了流場分布圖和熱場溫度分布圖。對新型熱屏和矮加熱器對晶體生長的影響進行了系統(tǒng)的理論分析和實驗驗工作。結(jié)果表明,新型熱屏不僅起到導(dǎo)流筒的作用,改進了流場,使單晶氧含量下降;而且熱屏解決了大直徑單晶生長中結(jié)晶潛熱難以散發(fā)的問題,大大提高了拉晶速率,降低了生產(chǎn)成本。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，本發(fā)明的直拉式單晶生長爐中，經(jīng) 輸入管輸入的氣壓為0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量為30L/min。 該流量不但不影響該爐中單晶的生長，平均每個直拉式單晶生長爐每 天可少消耗1440L，有效降低了生產(chǎn)成本，且利于在硅單晶生長過程 中單晶分子排列結(jié)構(gòu)的整齊性，還利于提高電阻率的均布性。(2)本發(fā)明 的直拉式單晶生長爐中，碗形的氣流導(dǎo)向裝置設(shè)于坩堝支持器下方和爐底部的排氣口之間，且氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔及一對電極孔分別與該爐的石 墨中軸及一對電極孔配合設(shè)置，有效地減小了爐內(nèi)空間，便于迅速及時地 將爐內(nèi)的一氧化硅與的混合氣體排出，且利于減少熱能和的消耗量，使原有的引晶功率從65KW減到61KW;另外，由于該爐的排氣口與氣流 導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，