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本文從晶體生長物理基礎(chǔ)和流體力學(xué)的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運(yùn)的分析,采用實驗和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對象,研究熱場結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場對大直徑硅單晶生長的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對晶體生長特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場制備出400mm和45 藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，(4) 電氣硬件設(shè)置、本系統(tǒng)的電氣柜內(nèi)布局采用模塊化集中管理，各個模塊間連接簡單，單個模塊可以帶電維修，電機(jī)保護(hù)采用空氣開關(guān)和絲結(jié)合的方法便于操作和維護(hù)。同時主要的電氣點都能簡單的在端子板上查出。整個機(jī)箱布局合理，簡單。同時帶有雙色聲光報*燈進(jìn)行提示。

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