晶圓在加工過程中，需要對其進行劃片處理，目前現(xiàn)有的晶圓劃片設(shè)備村子按以下不足：1、晶圓初的放置隨意性較大，影響后續(xù)晶圓的對正工作；2、每次只能對晶圓的一個表面進行劃片處理，導(dǎo)致正反面劃片的深度難以控制，增加了后期打磨的工作。

內(nèi)圓切割時晶片表層損害層大，給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產(chǎn)效率低；每一次只有切割一片。當(dāng)晶圓直徑達到300mm時。內(nèi)圓刀頭外徑將達到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢線切別主導(dǎo)的晶圓切割技術(shù)。

切片工序的關(guān)鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測的切片系統(tǒng)中，修整工序是通過一套反復(fù)試驗來建立的。在刀片負載受監(jiān)測的系統(tǒng)中，修整的終點是通過測量的力量數(shù)據(jù)來發(fā)現(xiàn)的，它建立佳的修整程序。這個方法有兩個優(yōu)點：不需要來佳的刀片性能，和沒有合格率損失，該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質(zhì)量差。

當(dāng)切片機有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時，維持一個穩(wěn)定的扭矩。如果記錄，從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調(diào)整的變化、刀片對刀片的變化、刀片情況和操作員錯誤。

切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認真的刀片選擇和的工藝控制能力。

隨著信息化時代的到來，我國電子信息、通訊和半導(dǎo)體集成電路等行業(yè)迅猛發(fā)展，我國已經(jīng)成為世界二極管晶圓、可控硅晶圓等集成電路各種半導(dǎo)體晶圓制造大國。傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)砂輪式晶圓切割技術(shù)在實際生產(chǎn)中受到工藝極限的影響，晶圓加工存在機械應(yīng)力、崩裂、加工效率低、成品率低的情況，的限制了晶圓制造水平的發(fā)展。傳統(tǒng)晶圓切割手段已經(jīng)無法滿足晶圓產(chǎn)品率、生產(chǎn)需求。因此，旋轉(zhuǎn)砂輪式切割工藝所伴隨的問題是無法通過工藝本身的優(yōu)化來完全解決的，亟需采取新的加工方式解決晶圓切割劃片的瓶頸；現(xiàn)有劃片機自動化程度及功能都很難滿足電子器件生產(chǎn)的可靠性和技術(shù)性能要求。