無壓燒結銀的優(yōu)勢
1.低溫無壓燒結（可以175度燒結）；
2.導熱導電性（電阻率低至4*10-6）；

潤濕性好
隨著第三代半導體器件向高溫、大功率方向的發(fā)展,AMB基板、DBC基板以及散熱器表面的金屬鍍層需要滿足高結溫可靠性的要求。

4、金屬間化合物盡量少
需要盡量避免產生金屬間化合物。金屬間化合物一般為脆性,三元金屬間化合物比二元金屬間化合物更脆,易導致可靠性問題。如不能避免,需要盡量形成較薄的、不連續(xù)的金屬間化合物層。