由于現(xiàn)有封裝技術(shù)的限制，特別是芯片與基板的互連技術(shù)，例如銀漿、聚合物材料，軟釬焊等互連技術(shù)由于焊料合金的低熔點(diǎn)、環(huán)氧樹脂的低溫分解等原因，使其不能在高溫環(huán)境下可靠工作，導(dǎo)致限制電力電子系統(tǒng)性能和可靠性的瓶頸從半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)移到了封裝技術(shù)上來。

近年來以善仁新材開發(fā)的納米燒結(jié)銀技術(shù)為代表的低溫連接技術(shù)是目前功率器件朝耐高溫、高可靠性應(yīng)用發(fā)展的主要趨勢(shì)，其基本原理是利用納米尺度下金屬顆粒的高表面能、低熔點(diǎn)特性來實(shí)現(xiàn)芯片與基板的低溫低壓燒結(jié)互連。

善仁新材的納米燒結(jié)銀形成的納米銀互連層具有優(yōu)良的電、熱性能，可承受710℃的高工作溫度，而且其厚度相比傳統(tǒng)的釬焊接頭要薄50～80%，是實(shí)現(xiàn)SiC功率器件封裝的理想互連材料。

③燒結(jié)完成后形成SiC-Cu基板納米燒結(jié)銀互連層。可以看到，善仁新材的納米銀燒結(jié)互連層是碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)單元，屬于薄層結(jié)構(gòu)，其厚度范圍一般為20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通過鍍銀、金等燒結(jié)工藝提升其互連層的連接強(qiáng)度。

另外，善仁新材研究院發(fā)現(xiàn)：較大面積的互連會(huì)導(dǎo)致較差的互連質(zhì)量，其原因是增加的互連面積阻止了有機(jī)成分被燃盡，會(huì)導(dǎo)致更高的的孔隙率，針對(duì)這種現(xiàn)象，善仁新材提出了兩個(gè)解決方案：

納米燒結(jié)銀互連層的蠕變性能
善仁研究院通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：蠕變應(yīng)力指數(shù)以及激活能分別與環(huán)境溫度和加載應(yīng)力的關(guān)系很大，建議客戶根據(jù)自己芯片的大小和界面的鍍層材料選擇適合的燒結(jié)溫度和是否加壓。