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杭州西湖藍(lán)寶石單晶爐回收杭州西湖整流柜回收

更新時(shí)間:2025-10-02 [舉報(bào)]
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直拉法,也叫切克勞斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法,用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單,容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,生產(chǎn),易于制備大直徑單晶,容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì),世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%~80%是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長(zhǎng)設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限,引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種,具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐(TDR85/95/105-JN)TDR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg~150Kg,可拉制6"~12"電路級(jí)和太陽能級(jí)單晶硅棒。
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因此,在向單晶爐內(nèi)不斷充入 的同時(shí),還用真空泵將混合氣體排出爐外;在排氣時(shí),混合氣體流經(jīng) 爐中的加熱器、坩堝支持器等處,后經(jīng)過爐下端的排氣口排出。上述圖1的單晶爐的不足之處在于單晶爐內(nèi)空間較大,尤其是坩堝 支持器下方的空間較大,導(dǎo)致坩堝支持器下方的混合氣體不能及時(shí)排出, 熱能消耗量較大;另外,現(xiàn)有技術(shù)中,從輸入管向爐內(nèi)充入時(shí), 充氣氣壓為1. 3x 103pa,流量為40L/min,因此其消耗量大,生產(chǎn) 成本較高。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,DL-78型單晶爐的熱場(chǎng)和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸,以提高集成度;另一方面不斷擴(kuò)大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地,作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標(biāo)和增大單晶錠的直徑和長(zhǎng)度,以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國(guó)外市場(chǎng)上,硅晶體直徑大致每4~5年增長(zhǎng)1時(shí)(25.4mm),相應(yīng)地,生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3~5公斤、8~12公斤、15~劉公斤和朋~6O公廳等幾個(gè)等級(jí)。在這發(fā)展中,有兩個(gè)條件是相輔相成、共同進(jìn)步的,這是單晶爐和拉晶工藝。

標(biāo)簽:藍(lán)寶石單晶爐回收
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