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本文結(jié)合某單晶爐產(chǎn)品的研制 ,設(shè)計(jì)了一種實(shí)用的單晶爐提拉速度控制系統(tǒng) ,并在實(shí)際生產(chǎn)中獲得成功應(yīng)用。2　設(shè)計(jì)的關(guān)鍵圖 1示出了單晶爐提拉的工藝過程。提拉控制系統(tǒng)的驅(qū)動電機(jī)轉(zhuǎn)速 n經(jīng)減速器、齒輪齒條減速后帶動提拉桿上下運(yùn)動。根據(jù)硅單晶生產(chǎn)工藝 ,要求提拉速度 V能在 ( 0 .2～ 1 0 .0 ) mm/h內(nèi)無級調(diào)節(jié) ,它相對于給定信號的線性精度 ± 2 %。經(jīng)折算后 (見下節(jié)式 ( 3) )

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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術(shù)為便于分析研究起見，將整個(gè)除塵過程分為有聯(lián)系而又有區(qū)別的如下三個(gè)過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段　均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進(jìn)入除塵器的除塵空間，根據(jù)不同的除塵器類型經(jīng)受不同的外力作用，將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移，濃度也越來越大，故捕集推移階段實(shí)質(zhì)也是粉塵濃縮的階段。分離階段　高濃度的塵流向分離界面以后，有兩種機(jī)理在起作用：氣體運(yùn)載粉塵的能力將達(dá)到極限狀態(tài)，懸浮與沉降這對矛盾中，沉降成為主要方面，通過沉降，粉塵從氣體中分離出來。極限狀態(tài)的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關(guān)。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，原理編輯，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個(gè)過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時(shí)，再將晶體逐漸縮小而形成一個(gè)尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個(gè)單晶拉制過程基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。