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進一步為了方便外部加料器的移動、拆卸和清理，連續(xù)拉晶單晶爐還包括用于驅(qū)動外部加料器升降的加料器升降驅(qū)動裝置和用于驅(qū)動外部加料器旋轉(zhuǎn)的加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置，所述外部加料器通過加料器旋臂連接在加料器升降驅(qū)動裝置上，以便通過加料器升降驅(qū)動裝置驅(qū)動加料器旋臂升降，并通過加料器旋臂帶動外部加料器升降，所述加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置連接在加料器升降驅(qū)動裝置和加料器旋臂之間，以便加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置隨加料器旋臂一起升降，并通過加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置驅(qū)動加料器旋臂旋轉(zhuǎn)，加料器旋臂又帶動外部加料器旋轉(zhuǎn)。進一步提供了一種加料器升降驅(qū)動裝置的具體結(jié)構(gòu)，所述加料器升降驅(qū)動裝置包括升降絲桿、拖板和絲桿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置，底座上設(shè)置有立柱，所述升降絲桿可旋轉(zhuǎn)地支承在立柱上，所述拖板通過螺紋連接在升降絲桿上，所述加料器旋臂連接在拖板上，所述升降絲桿連接在絲桿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置上，以便通過絲桿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置驅(qū)動升降絲桿旋轉(zhuǎn)，進而將升降絲桿的旋轉(zhuǎn)運動轉(zhuǎn)換為加料器旋臂的升降運動。

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本發(fā)明的直拉式單晶生長爐中，經(jīng) 輸入管輸入的氣壓為0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量為30L/min。 該流量不但不影響該爐中單晶的生長，平均每個直拉式單晶生長爐每 天可少消耗1440L，有效降低了生產(chǎn)成本，且利于在硅單晶生長過程 中單晶分子排列結(jié)構(gòu)的整齊性，還利于提高電阻率的均布性。(2)本發(fā)明 的直拉式單晶生長爐中，碗形的氣流導(dǎo)向裝置設(shè)于坩堝支持器下方和爐底部的排氣口之間，且氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔及一對電極孔分別與該爐的石 墨中軸及一對電極孔配合設(shè)置，有效地減小了爐內(nèi)空間，便于迅速及時地 將爐內(nèi)的一氧化硅與的混合氣體排出，且利于減少熱能和的消耗量，使原有的引晶功率從65KW減到61KW;另外，由于該爐的排氣口與氣流 導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，設(shè)計與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中，硅單晶生長的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場，不僅硅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高；如果熱場的溫度分布不是很合理，生長硅單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷，影響質(zhì)量，情況嚴重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出合理的熱場,從而保生產(chǎn)出來的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個低成本的情況下,利用電腦計算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實驗。