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主要產(chǎn)品　　七大類：電阻爐、感應(yīng)爐、真空爐、電子束爐、熱處理（或熔煉）機(jī)組、熱處理輔助設(shè)備、燃燒爐三． 電阻爐：三大部件：加熱器、爐襯、耐構(gòu)件 　　1． 分為周期式及連續(xù)式兩大類 　　2． 周期式爐的特征： 　　A． 爐料同時(shí)加入同時(shí)取出 　　B． 加熱時(shí)爐料基本不動(dòng)（特殊情況除外：如滾筒爐，輥底爐） 　　C． 工作區(qū)內(nèi)力求溫度均勻3． 周期式電阻爐的分類　　A． 箱式爐 　　B． 臺(tái)車爐（分為自行式和牽引式），用作退火之用，加熱后工件隨爐冷卻 C． 井式爐 　　藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，所述氣流導(dǎo)向裝置20的中軸孔2-1與該爐的石墨中軸21活 動(dòng)密封連接，以防止因該中軸孔2-1與石墨中軸21之間的間隙而漏氣，影 響排氣效果，氣流導(dǎo)向裝置20的電極孔2-2分別與該爐的電極柱15密封連 接，以防止因該電極孔2-2與電極柱15之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的保溫 筒17密封連接，以防止因氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的 保溫筒17之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20各通氣孔2-3與該爐的排氣口 13通過通 氣管19相連通，以提高排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20由石墨制成，石墨具有強(qiáng)度高、抗熱震性好、耐 高溫、抗氧化、電阻系數(shù)小、耐腐蝕、易于精密機(jī)加工等優(yōu)點(diǎn)。

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單晶硅生長爐原理簡介單晶硅生長爐的特點(diǎn)\單晶硅生長爐是通過直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設(shè)備。主要由主機(jī)、加熱電源和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機(jī)部分：機(jī)架，雙立柱\雙層水冷式結(jié)構(gòu)爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動(dòng)爐壓檢測控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進(jìn)口IG及超快恢復(fù)二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構(gòu)成新一代高頻開關(guān)電源。采用移相全橋軟開關(guān)（ZVS）及CPU控制技術(shù)，提高了電能轉(zhuǎn)換效率，不需要功率因數(shù)補(bǔ)償裝置。3、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機(jī)，配備大屏幕觸摸式HMI人機(jī)界面、高像素CCD測徑 ADC系統(tǒng)和具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“全自動(dòng)Cz法晶體生長SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實(shí)現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉(zhuǎn)肩—等徑—收尾—停爐全過程自動(dòng)控制。