目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可通過錫膏量的調(diào)整補正搭接面平整度不佳造成的搭接問題，燒結(jié)銀的搭接技術(shù)對于搭接處的公共平面度要求公差只有20um，對于這種復雜的折彎成型式技術(shù)是一大挑戰(zhàn)。

眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導熱率為370W/(m.K)，遠IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導熱率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整個器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權(quán)重，是不言而喻的。

善仁新材的GVF9700無壓預燒結(jié)焊盤和GVF9800有壓預燒結(jié)焊盤，為客戶帶來多重便利，包括無需印刷、點膠或干燥，GVF預燒結(jié)銀焊片工藝（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以將銅鍵合線和燒結(jié)工藝很好結(jié)合在一起，同時具有較高的靈活性，可以同時讓多個鍵合線連接在預燒結(jié)焊盤上來進行頂部連接。

GVF預燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不僅能顯著提高芯片連接的導電性、導熱性，以及芯片連接的可靠性，并對整個模塊的性能進行優(yōu)化，還能幫助客戶提高生產(chǎn)率，降低芯片的破損率，加速新一代電力電子模塊的上市時間。

GVF預燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠?qū)㈦娏﹄娮幽K的使用壽命延長50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。

SHAREX的預燒結(jié)銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結(jié)合了燒結(jié)銀，銅箔和其他材料的一種復合材料，由以下四個部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預涂布AS9385系列燒結(jié)銀；燒結(jié)前可選用臨時固定的膠粘劑；保護膜或者承載物。