SiC芯片的工作溫度更高，對(duì)封裝的要求也非常高，同時(shí)對(duì)散熱和可靠性的要求也更加嚴(yán)苛，這些都需要相配套的封裝工藝和材料同步跟進(jìn)。

傳統(tǒng)的芯片粘接和基板粘接材料通常由焊料合金組成，其粘結(jié)層厚度范圍為50至100μm（用于芯片連接）和100至150μm（用于基板連接）。盡管性能還不錯(cuò)，但在特斯拉、比亞迪和現(xiàn)代等主要汽車原始設(shè)備制造商的推動(dòng)下，人們對(duì)無壓燒結(jié)銀的偏好越來越高。

當(dāng)下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進(jìn)一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術(shù)已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結(jié)銀實(shí)現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。