鉑銠絲回收，報(bào)廢核醫(yī)學(xué)設(shè)備中鉑銠的回收規(guī)范
處理含放射性同位素（如Pt-193）廢料的特殊要求：

輻射監(jiān)測：

γ能譜儀實(shí)時(shí)監(jiān)控（報(bào)警閾值1μSv/h）

表面污染控制（<0.4Bq/cm2）

去污工藝：

超聲波-檸檬酸聯(lián)合清洗（去污因子>100）

超臨界CO?萃取殘留放射性核素

廢物處置：

固化體符合GB14500-2023標(biāo)準(zhǔn)

法國Orano醫(yī)療的回收線年處理能力10噸，獲IAEA技術(shù)安全認(rèn)證。

鉑銠絲回收，氯化揮發(fā)法處理復(fù)雜廢料
針對含鉑銠的電子廢料（如多層陶瓷電容器），俄羅斯開發(fā)的氯化揮發(fā)法：

反應(yīng)方程：Pt + 2Cl? + 2CO → PtCl?(CO)?（氣態(tài)）；

工藝條件：250°C，Cl?分壓0.3atm，CO作為載氣；

收集系統(tǒng)：溫度梯度冷凝（200°C→50°C），鉑銠氯化物分級析出。

該技術(shù)對低品位廢料（0.1% PtRh）仍具經(jīng)濟(jì)性，回收成本<50美元/盎司。

鉑銠絲回收，電子廢棄物中的納米鉑銠回收
廢棄芯片中的納米鉑銠導(dǎo)線（線寬<10nm）需特殊處理：

低溫等離子體解離：在100°C下剝離環(huán)氧樹脂封裝層；

電泳富集：在pH=8的緩沖液中，施加20V/cm電場，使納米顆粒遷移率提升5倍；

膜過濾純化：采用0.5nm氧化鋁膜分離不同粒徑顆粒。

臺(tái)積電（TSMC）測試顯示，該工藝對5nm制程芯片的鉑回收率達(dá)99.99%。