金鹽回收中的選擇性化學(xué)鍍技術(shù)
化學(xué)鍍技術(shù)可在非導(dǎo)電基材上選擇性沉積金層，適用于電子廢料中微米級金線路的回收：

鍍液配方優(yōu)化
組分 濃度范圍 功能作用
氯金酸（HAuCl?） 1-3 g/L 金離子來源
還原劑（DMAB） 2-5 g/L 電子供體（E°=-1.18 V）
絡(luò)合劑（EDTA） 10-15 g/L 穩(wěn)定Au3?，抑制自發(fā)分解
pH調(diào)節(jié)劑 維持7.5-8.5 硼酸鈉緩沖體系
工藝特性
沉積速率：0.5-2 μm/h（40-60°C）

選擇性：通過光刻膠圖形化實現(xiàn)局部沉積（精度±5 μm）

鍍層性能：

電阻率2.3 μΩ·cm（接近體材料）

結(jié)合力>30 MPa（劃痕測試）

應(yīng)用案例：

日本日礦金屬處理廢棄FPC板，金回收率>98%

缺陷控制：鍍液壽命約8-10個金屬周轉(zhuǎn)（需定期過濾再生）

金鹽回收中的選擇性氯化技術(shù)
選擇性氯化法適用于處理含金電子廢料（如PCB），其核心是通過控制氯氣濃度和溫度實現(xiàn)金的揮發(fā)：

反應(yīng)機(jī)理
氯化揮發(fā)：2Au + 3Cl? → 2AuCl?（g）（沸點254°C）

雜質(zhì)抑制：Cu、Fe等生成固態(tài)氯化物殘留

工藝參數(shù)優(yōu)化
參數(shù) 佳范圍 作用機(jī)制
溫度 450-500°C 平衡揮發(fā)速率與能耗
Cl?濃度 30-50 vol% 避免過量腐蝕設(shè)備
載氣流速 0.8-1.2 L/min 確保氣態(tài)AuCl?充分帶出
工業(yè)案例：

日本DOWA的流化床氯化系統(tǒng)：處理含金0.2%的電子廢料，回收率>99%

兩級冷凝設(shè)計：200°C（收集AuCl?），二級50°C（捕集Hg/Pb氯化物）

挑戰(zhàn)：

設(shè)備需采用哈氏合金C276（耐氯腐蝕）

尾氣需堿洗+活性炭吸附處理

金鹽回收中的選擇性沉淀技術(shù)
選擇性沉淀是濕法冶金中分離金鹽的核心工藝，其原理基于不同金屬離子在特定pH和配體條件下的溶解度差異。常用的沉淀劑包括：

亞硫酸鈉（Na?SO?）：在pH=2-3時選擇性沉淀Au?，反應(yīng)效率>99%，同時抑制Cu2?、Ni2?共沉淀。

草酸（H?C?O?）：80℃下還原Au3?為金屬金，產(chǎn)物純度99.9%，但需控制Fe3?干擾。

硫化鈉（Na?S）：生成Au?S沉淀，適用于含汞廢液處理，但需嚴(yán)格調(diào)控硫化物濃度以避免膠體形成。

工藝優(yōu)化關(guān)鍵點：

pH控制：采用自動滴定系統(tǒng)（精度±0.05），確保Au沉淀率>99.5%

晶種添加：引入納米金顆粒（5-10nm）作為晶種，縮短誘導(dǎo)期50%

絮凝劑選擇：聚丙烯酰胺（PAM）使沉淀顆粒從0.1μm增大至5μm，過濾速度提升3倍

工業(yè)案例：

日本田中貴金屬的連續(xù)沉淀系統(tǒng)，處理能力2m3/h，尾液含金<0.1mg/L

缺陷控制：通過XRD分析發(fā)現(xiàn)過度攪拌會導(dǎo)致β-Au?O?雜相生成（需限制剪切速率<500s?1）