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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產量中70％～80％是用直拉法生產的。目前晶體生長設備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產品——太陽能光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產權。生產的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產權，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長爐的原理簡介/我有更好的/，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進行轉肩操作，

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主要產品　　七大類：電阻爐、感應爐、真空爐、電子束爐、熱處理（或熔煉）機組、熱處理輔助設備、燃燒爐三． 電阻爐：三大部件：加熱器、爐襯、耐構件 　　1． 分為周期式及連續(xù)式兩大類 　　2． 周期式爐的特征： 　　A． 爐料同時加入同時取出 　　B． 加熱時爐料基本不動（特殊情況除外：如滾筒爐，輥底爐） 　　C． 工作區(qū)內力求溫度均勻3． 周期式電阻爐的分類　　A． 箱式爐 　　B． 臺車爐（分為自行式和牽引式），用作退火之用，加熱后工件隨爐冷卻 C． 井式爐