當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質(zhì),使用加大介質(zhì)層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應(yīng),并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質(zhì)材料就成了當(dāng)務(wù)之急。在高介電柵介質(zhì)材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認(rèn)為是在新一代的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)電容器件材料中相當(dāng)有潛力的替代品
Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。
鉭 Ta,金屬元素,主要存在于鉭鐵礦中,同鈮共生。鉭的硬度適中,富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)
鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。
鉭的硬度較低,并與含氧量相關(guān),普通純鉭,退火態(tài)的維氏硬度僅有140HV [1] 。它的熔點(diǎn)高達(dá)2995℃
冶煉方法:鉭鈮礦中常伴有多種金屬,鉭冶煉的主要步驟是分解精礦,凈化和分離鉭、鈮,以制取鉭、鈮的純化合物,后制取金屬。
中國鉭工業(yè)始于20世紀(jì)60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產(chǎn)規(guī)模、技術(shù)水平、產(chǎn)品檔次和質(zhì)量狀況與發(fā)達(dá)國家比較相差甚遠(yuǎn)。自90年代,特別是1995年以來,中國鉭生產(chǎn)應(yīng)用呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢,如今,中國鉭工業(yè)已實(shí)現(xiàn)了“從小到大、從軍到民、從內(nèi)到外”的轉(zhuǎn)變,形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應(yīng)用的工業(yè)體系,高、中、低端產(chǎn)品的進(jìn)入了國際市場,中國成為世界鉭冶煉加工第三強(qiáng)國,進(jìn)入世界鉭工業(yè)大國的行列
在制取各種無機(jī)酸的設(shè)備中,鉭可用來替代不銹鋼,壽命可比不銹鋼提高幾十倍
一般來說,廢鉭材回收的主要步驟包括收集、分類、預(yù)處理、再生和再利用等環(huán)節(jié)。其中,預(yù)處理是一個(gè)關(guān)鍵步驟,它包括去除雜質(zhì)和清洗等過程,以使廢鉭材能被重新利用。