隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語:Random Access Memory,縮寫:RAM),也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)的地址寫入(存入)或讀出(取出)信息。它與ROM的大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性,即一旦斷電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)既可向單元存入信息又可從單元讀出信息。任何RAM中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失,所以RAM是易失性存儲(chǔ)器。
現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制),未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài),然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電,彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。
沒有任何兩塊被生產(chǎn)出來的網(wǎng)卡擁有同樣的地址。這是因?yàn)殡姎怆娮庸こ處焻f(xié)會(huì)(IEEE)負(fù)責(zé)為網(wǎng)絡(luò)接口控制器(網(wǎng)卡)銷售商分配的MAC地址。
網(wǎng)卡上面裝有處理器和存儲(chǔ)器(包括RAM和ROM)。網(wǎng)卡和局域網(wǎng)之間的通信是通過電纜或雙絞線以串行傳輸方式進(jìn)行的。而網(wǎng)卡和計(jì)算機(jī)之間的通信則是通過計(jì)算機(jī)主板上的I/O總線以并行傳輸方式進(jìn)行。因此,網(wǎng)卡的一個(gè)重要功能就是要進(jìn)行串行/并行轉(zhuǎn)換。由于網(wǎng)絡(luò)上的數(shù)據(jù)率和計(jì)算機(jī)總線上的數(shù)據(jù)率并不相同,因此在網(wǎng)卡中裝有對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行緩存的存儲(chǔ)芯片。
網(wǎng)卡以前是作為擴(kuò)展卡插到計(jì)算機(jī)總線上的,但是由于其價(jià)格低廉而且以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)普遍存在,大部分新的計(jì)算機(jī)都在主板上集成了網(wǎng)絡(luò)接口。這些主板或是在主板芯片中集成了以太網(wǎng)的功能,或是使用一塊通過PCI (或者更新的PCI-Express總線)連接到主板上的廉價(jià)網(wǎng)卡。除非需要多接口或者使用其它種類的網(wǎng)絡(luò),否則不再需要一塊立的網(wǎng)卡。甚至更新的主板可能含有內(nèi)置的雙網(wǎng)絡(luò)(以太網(wǎng))接口。
巨型幀肯定存在缺點(diǎn)。管理員對(duì)網(wǎng)絡(luò)中的所有節(jié)點(diǎn)進(jìn)行配置才能支持巨型幀的傳輸。巨型幀并不是IEEE標(biāo)準(zhǔn)的一部分,因此不同的網(wǎng)卡配置的巨型幀大小有所不同。為了在節(jié)點(diǎn)之間傳輸巨型幀要做一些實(shí)驗(yàn)。更大的數(shù)據(jù)包可能會(huì)增加某些負(fù)載的延遲,因?yàn)槠渌?jié)點(diǎn)要等更長(zhǎng)的時(shí)間才能使用帶寬,請(qǐng)求與發(fā)送被丟棄或者被破壞的數(shù)據(jù)包也需要花更長(zhǎng)的時(shí)間。
按照IEEE802.11協(xié)議,無線局域網(wǎng)卡分為媒體訪問控制(MAC)層和物理層(PHY Layer)。在兩者之間,還定義了一個(gè)媒體訪問控制-物理(MAC-PHY)子層(Sublayers)。MAC層提供主機(jī)與物理層之間的接口,并管理外部存儲(chǔ)器,它與無線網(wǎng)卡硬件的NIC單元相對(duì)應(yīng)。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。