目前電子封裝中常用的無鉛焊料熔點低于250℃，適用于低于150℃的服役溫度。然而，在175-200℃乃至更高的使用溫度下，這些連接層的性能將下降甚至熔化，嚴重影響模塊的正常運行和長期可靠性。

2018年標志性的轉變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅逆變器中，為碳化硅技術在電動汽車中的廣泛應用奠定了基礎。此后，多家國內新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應用。新技術的不斷涌現，如800V高壓快充，以及新能源汽車市場的持續(xù)擴張，促進了碳化硅的飛速發(fā)展。

AS9378燒結銀的低溫低壓燒結效果好：為了適應大面積燒結，燒結銀膏需要較低的溫度和壓力下達到良好的燒結效果，同時需要確保燒結質量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問題。

AS9378燒結銀的印刷性好：在大面積上進行印刷要求銀膏的印刷性要足夠好，需要調整銀膏的觸變性和黏度以適應大面積印刷。

功率模塊封裝技術的重要趨勢之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品，特別是在電動車的應用中。這導致了對能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求，例如銀燒結芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結構化底板以及高溫穩(wěn)定的封裝材料。

隨著技術的不斷演進和優(yōu)化，燒結銀技術在高工作溫度、高熱導率和高可靠性方面的優(yōu)勢將更加明顯，善仁新材也在通過技術創(chuàng)新、工藝改進和產業(yè)生態(tài)合作來推動燒結銀的應用。