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三代半加壓燒結(jié)銀替代日本燒結(jié)銀車規(guī)碳化硅燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-10-10 [舉報(bào)]

而在電動(dòng)車輛中,電力電子器件節(jié)省空間、重量輕、并且即使在惡劣的條件下也要工作可靠。為了滿足這些要求,傳統(tǒng)基于模塊的封裝方式已經(jīng)不能適應(yīng)下游市場(chǎng)發(fā)展的需要,

個(gè)難題:燒結(jié)銀膏技術(shù)
在芯片與基板的連接中,傳統(tǒng)有基板焊接功率模塊中,焊接連接往往是模塊上的機(jī)械薄弱點(diǎn)。

與傳統(tǒng)的高溫?zé)o鉛釬料相比,AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)連接層成分為銀,具有的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能,由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)961℃,將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng),具有的可靠性,且其燒結(jié)溫度和傳統(tǒng)軟釬焊料溫度相當(dāng)。

相比焊接模塊,加壓燒結(jié)銀的銀燒結(jié)技術(shù)對(duì)模組結(jié)構(gòu)、使用壽命、散熱產(chǎn)生了重要影響,采用銀燒結(jié)技術(shù)可使模塊使用壽命提高5-10倍,

燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%,熱傳導(dǎo)率提升5倍,國內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體封裝的核心技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的選擇.

芯片連接采用銀燒結(jié)合金而不是焊接,燒結(jié)連接熔點(diǎn)更高,這意味著在給定溫度擺幅下連接的老化率將低得多,功率模塊的熱循環(huán)能力可增加5倍。

標(biāo)簽:碳化硅燒結(jié)銀三代半加壓燒結(jié)銀
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