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HBLED燒結(jié)銀廣東燒結(jié)銀全燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-10-09 [舉報(bào)]
IGBT應(yīng)用和有壓燒結(jié)銀工藝流程介紹

AS9331燒結(jié)銀對(duì)金 Au,銀 Ag,銅 Cu,預(yù)鍍 PPF 引線框架和裸銅框架等具有良好的附著力。是客戶的燒結(jié)銀,值得客戶信賴。

推薦燒結(jié)條件:
1)芯片尺寸<5 x 5 mm:20 分鐘從 25°C 升至 130°C,保持 30 至 60 分鐘;升溫至 200°C 15 分鐘,保持
60 分鐘;(在空氣或氮?dú)鉅t中加熱,合適材質(zhì):金、銀界面和裸銅界面)

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標(biāo)簽:廣東半導(dǎo)體燒結(jié)銀QFJ燒結(jié)銀
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