在設(shè)計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮（Polyioprene-Bisazide）的負(fù)膠。

在濕刻和電鍍應(yīng)用時很強的粘附力；很容易用去膠液去除。    

單次旋涂厚度范圍如下：﹤0.1～200 μm可在i、g以及h-line波長曝光

避免了基于有機溶劑的顯影和沖洗過優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢：控制表面形貌的線寬 任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁；

單次旋涂即可獲得200 μm膠厚

厚膠同樣可得到的分辨率

150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時間；

的感光度進而增加曝光通量

更快的顯影，100 μm的光刻膠顯影僅需6 ～ 8分鐘光刻膠曝光時不會出現(xiàn)氣泡

可將一種顯影液同時應(yīng)用于負(fù)膠和正膠；

不必使用增粘劑如HMDS

非常適合作為刻蝕掩模的抗干刻、濕刻性能；地利用PVD和lift-off加工進行圖案轉(zhuǎn)移能力；的電鍍性能（酸和堿性鍍液中*的穩(wěn)定性）；光刻膠圖案良好的熱穩(wěn)定性；堿性水溶液下顯影；