浙江海鹽單晶爐回收 浙江海鹽控制柜回收
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整個(gè)爐內(nèi)的一氧化硅與的混合氣體(包 括坩堝支持器下方的混合氣體)能通暢地排出爐外，整個(gè)爐內(nèi)不存在排氣 不暢的地方，即不存在排氣死角，既有效地防止了一氧化硅氣體對(duì)加熱器 和坩堝支持器等石墨器件的腐蝕，還可使吸附在這些石墨器件上的雜質(zhì)粉 塵減少30%以上，從而確保了該爐的使用壽命，使所述石墨器件的使用壽 命從原來(lái)的90爐次提高11G爐次以上，另外還可對(duì)硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程起 到穩(wěn)定作用，使平均成品率從原來(lái)的65%提高68%以上，并可提高單晶 的內(nèi)在質(zhì)量。本發(fā)明的氣流導(dǎo)向裝置的一對(duì)通氣孔與該爐的 一對(duì)排氣口相 對(duì)設(shè)置，縮短了排氣管路，利于提高排氣效率。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，排氣筒與排氣口相通。上盤(pán)的幾個(gè)圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤(pán)12 個(gè)圓孔排出去之前，實(shí)際的氣流運(yùn)動(dòng)是很復(fù)雜的。除切向和軸向運(yùn)動(dòng)外還有徑向運(yùn)動(dòng)。這樣含塵氣流會(huì)反復(fù)經(jīng)過(guò)金屬網(wǎng)(支撐內(nèi)、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯(cuò)列，很明顯能夠增加氣流穿過(guò)金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細(xì)論過(guò)除塵機(jī)理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴(kuò)散在這時(shí)將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內(nèi)、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤(pán)在內(nèi))。

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單晶爐熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與仿真單晶直徑在生長(zhǎng)過(guò)程中可受到溫度，提拉速度與轉(zhuǎn)速，坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速，保護(hù)氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過(guò)檢測(cè)才能獲知。溫度分布合適的熱場(chǎng)，不僅單晶生長(zhǎng)順利，而且品質(zhì)較高；如果熱場(chǎng)的溫度分布不是很合理,生長(zhǎng)單晶的過(guò)程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長(zhǎng)不出來(lái)單晶。