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結(jié)合單晶爐提拉系統(tǒng)實際結(jié)構(gòu),進行了系統(tǒng)UG三維實體建模、動平衡數(shù)學(xué)建模、計算以及提拉系統(tǒng)動平衡仿真配平工作。系統(tǒng)動平衡分析、計算的結(jié)果明,提拉系統(tǒng)配平效果即動平衡效果是比較好的。隨后,針對某型號單晶爐提拉系統(tǒng)的實際結(jié)構(gòu),進行了提拉系統(tǒng)理論靜不平衡量的大小、相位計算,三維軟件UG建模計算和該設(shè)備“以動測靜”法的平衡實驗
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而采用有限元法數(shù)值模擬是一種優(yōu)化單晶爐設(shè)計的重要工具。本文對采用矮加熱器的復(fù)合式熱場進行了數(shù)值模擬,得到了流場分布圖和熱場溫度分布圖。對新型熱屏和矮加熱器對晶體生長的影響進行了系統(tǒng)的理論分析和實驗驗工作。結(jié)果表明,新型熱屏不僅起到導(dǎo)流筒的作用,改進了流場,使單晶氧含量下降;而且熱屏解決了大直徑單晶生長中結(jié)晶潛熱難以散發(fā)的問題,大大提高了拉晶速率,降低了生產(chǎn)成本。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱:直拉式單晶生長爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術(shù):圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖;圖1-2 中,l為爐筒,2為保溫蓋,3為保溫蓋,4為保溫材津牛,5為保溫罩,6為 加熱器,7為水套,8為石英堝,9為導(dǎo)流筒,IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內(nèi)不斷充入,并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合,由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成, 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上,從而影響了單晶爐的使用壽命。