當超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統(tǒng)的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(shù)(K-26),又能夠兼容與傳統(tǒng)的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品

鉭 Ta，金屬元素，主要存在于鉭鐵礦中，同鈮共生。鉭的硬度適中，富有延展性，可以拉成細絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學性質，具有的抗腐蝕性，無論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、及“王水”都不反應

鉭在單質中，僅次于碳，鎢，錸和鋨，第五。鉭富有延展性，可以拉成細絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。每升高一攝氏度只膨脹百萬分之六點六。除此之外，它的韌性很強，比銅還要。

鉭的硬度較低，并與含氧量相關，普通純鉭，退火態(tài)的維氏硬度僅有140HV [1] 。它的熔點高達2995℃

鉭雖然在19世紀初就已被發(fā)現(xiàn)了，但直到1903年才制出了金屬鉭，1922年開始工業(yè)生產鉭。因此，世界鉭工業(yè)的發(fā)展始于20世紀20年代，中國鉭工業(yè)始于1956年

一般來說，廢鉭材回收的主要步驟包括收集、分類、預處理、再生和再利用等環(huán)節(jié)。其中，預處理是一個關鍵步驟，它包括去除雜質和清洗等過程，以使廢鉭材能被重新利用。