燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題
總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開(kāi)關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命，穩(wěn)定性和可靠性——在降低失誤率的同時(shí)簡(jiǎn)化控制和保護(hù)電路到后的降低成本。

目前盡可能從機(jī)械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。

個(gè)難題：燒結(jié)銀膏技術(shù)
在芯片與基板的連接中，傳統(tǒng)有基板焊接功率模塊中，焊接連接往往是模塊上的機(jī)械薄弱點(diǎn)。

與傳統(tǒng)的高溫?zé)o鉛釬料相比，AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)連接層成分為銀，具有的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)961℃，將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有的可靠性，且其燒結(jié)溫度和傳統(tǒng)軟釬焊料溫度相當(dāng)。

燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導(dǎo)率提升5倍，國(guó)內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體封裝的核心技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的選擇.

善仁新材新推出的有壓燒結(jié)銀AS9385的剪切強(qiáng)度達(dá)到93.277MPa，剪切強(qiáng)度大大超過(guò)目前市面上主流的有壓燒結(jié)銀的剪切強(qiáng)度，大家可能對(duì)93.277MPa沒(méi)有概念，作為對(duì)比，目前市面上的德國(guó)某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為68MPa，美國(guó)某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為67MPa。