鉑銠絲回收，電子廢棄物中的納米鉑銠回收
廢棄芯片中的納米鉑銠導(dǎo)線（線寬<10nm）需特殊處理：

低溫等離子體解離：在100°C下剝離環(huán)氧樹脂封裝層；

電泳富集：在pH=8的緩沖液中，施加20V/cm電場(chǎng)，使納米顆粒遷移率提升5倍；

膜過濾純化：采用0.5nm氧化鋁膜分離不同粒徑顆粒。

臺(tái)積電（TSMC）測(cè)試顯示，該工藝對(duì)5nm制程芯片的鉑回收率達(dá)99.99%。

鉑銠絲回收，超臨界CO?萃取技術(shù)的新突破
英國(guó)諾丁漢大學(xué)將超臨界CO?（scCO?）與三氟乙酰丙酮（TFA）結(jié)合，實(shí)現(xiàn)鉑銠選擇性萃?。?br />
系統(tǒng)參數(shù)：壓力25MPa，溫度60°C，CO?流速10L/min，TFA濃度0.1mol/L；

萃取效率：對(duì)Pt的分配比（D）達(dá)4500，Rh為1200，遠(yuǎn)常規(guī)溶劑萃?。―<100）；

綠色優(yōu)勢(shì)：全過程無酸性廢水，CO?可循環(huán)使用，萃取劑消耗量減少99%。

中試裝置（50L反應(yīng)釜）連續(xù)運(yùn)行數(shù)據(jù)顯示，每小時(shí)可處理20kg含鉑銠廢催化劑，金屬純度>99.9%。該技術(shù)入選2023年《Green Chemistry》年度工業(yè)技術(shù)。

鉑銠絲回收，鉑銠納米線廢料的定向回收技術(shù)
針對(duì)柔性電子器件中的鉑銠納米線（直徑20-50nm）：

選擇性溶解：

含0.1M EDTA的pH=8緩沖液

超聲輔助（40kHz）剝離納米線

電泳沉積：

電場(chǎng)強(qiáng)度50V/cm

沉積效率>99%

形貌保持：

低溫H?退火（200°C）恢復(fù)晶格完整性

新加坡國(guó)立大學(xué)團(tuán)隊(duì)證實(shí)：

回收的納米線電阻率（12μΩ·cm）與新料相當(dāng)；

適用于可穿戴設(shè)備二次制造。