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原理簡介，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm 左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個單晶拉制過程基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。

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具體實施方式、本實施例的直拉式單晶生長爐包括輸入管12、與氬 氣輸入管12相連通的環(huán)形氣體分布器11;其特征在于經(jīng)輸入管12 輸入的氣壓為0. 8 x 10a0. 9 x 10a,流量為30L/min。還包括設(shè)于該爐的坩堝支持器14下方和該爐底部的排氣口 13之間 的碗形的氣流導(dǎo)向裝置20;其包括設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置20底部的中軸 孔2-l、設(shè)于所述中軸孔2-1兩側(cè)的一對電極孔2-2、以及設(shè)于所述中軸孔 2-1兩側(cè)并與該爐的排氣口 13相對的通氣孔2-3;該爐的石墨中軸21穿過所述氣流導(dǎo)向裝置20的中軸孔2-1，該爐的一對電極柱15分別穿過所述電 極孔2-2，該爐的排氣口 13與氣流導(dǎo)向裝置20的各通氣孔2-3相連通，氣 流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4設(shè)于該爐的保溫筒17與發(fā)熱體16之間。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，各種汽車工具的熱變形（如套筒扳手）； 12、汽車、托車零部件的局部熱處理； 13、各種機(jī)械零部件的的局部熱處理（需廠家提供圖紙及技術(shù)要求）。 經(jīng)過齒輪軸淬火設(shè)備所淬軸類：硬度均勻、一致。淬層適中均勻。工作質(zhì)量很高。省電節(jié)能。操作方便。。齒輪軸淬火設(shè)備有多種電源和機(jī)床及輔助夾具的配置，可適用于直徑大500mm-小10mm的各種軸類零件的表面淬火。,是一種將工頻50HZ交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹蓄l（300HZ以上1000HZ）的電源裝置，把三相工頻交流電，整流后變成直流電，再把直流電變?yōu)榭烧{(diào)節(jié)的中頻電流，供給由電容和感應(yīng)線圈里流過的中頻交變電流，在感應(yīng)圈中產(chǎn)生高密度的磁力線，并切割感應(yīng)圈里盛放的金屬材料，在金屬材料中產(chǎn)生很大的渦流。