目前盡可能從機(jī)械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。

個難題：燒結(jié)銀膏技術(shù)
在芯片與基板的連接中，傳統(tǒng)有基板焊接功率模塊中，焊接連接往往是模塊上的機(jī)械薄弱點(diǎn)。

目前，銀燒結(jié)技術(shù)成為國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)中應(yīng)用為廣泛的技術(shù)，美國、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。

同時在此基礎(chǔ)上開發(fā)出雙面銀燒結(jié)技術(shù)，將銀帶燒結(jié)在芯片正面代替了鋁線，或取消底板將基板直接燒結(jié)在散熱器上，大大簡化了模塊封裝的結(jié)構(gòu)。

芯片連接采用銀燒結(jié)合金而不是焊接，燒結(jié)連接熔點(diǎn)更高，這意味著在給定溫度擺幅下連接的老化率將低得多，功率模塊的熱循環(huán)能力可增加5倍。

善仁新材新推出的有壓燒結(jié)銀AS9385的剪切強(qiáng)度達(dá)到93.277MPa，剪切強(qiáng)度大大超過目前市面上主流的有壓燒結(jié)銀的剪切強(qiáng)度，大家可能對93.277MPa沒有概念，作為對比，目前市面上的德國某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為68MPa，美國某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為67MPa。