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單晶硅生長爐原理簡介單晶硅生長爐的特點\單晶硅生長爐是通過直拉法生產單晶硅的制造設備。主要由主機、加熱電源和計算機控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機部分：機架，雙立柱\雙層水冷式結構爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉機構\坩堝提升及旋轉機構\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動爐壓檢測控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進口IG及超快恢復二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構成新一代高頻開關電源。采用移相全橋軟開關（ZVS）及CPU控制技術，提高了電能轉換效率，不需要功率因數補償裝置。3、計算機控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機，配備大屏幕觸摸式HMI人機界面、高像素CCD測徑 ADC系統(tǒng)和具有知識產權的“全自動Cz法晶體生長SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實現從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉肩—等徑—收尾—停爐全過程自動控制。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術領域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導流筒，IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內不斷充入，并與爐內生成的 一氧化硅及雜質粉塵混合，由于單晶爐內的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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提拉式單晶爐在節(jié)能減排方面的主要目標包括，非化石能源占一次能源消費比重達到11.4%，單位國內生產總能源消耗降低16%，單位國內生產總值化碳排放降低17%。要達到這樣的目標，需要調用一切有效的手段，而光伏發(fā)電無疑是一種的選擇?？v觀能源利用現狀，以及為實現“十一五”節(jié)能減排目標所作出的努力，在未來的節(jié)能減排目標上仍面臨著重大的挑戰(zhàn)。