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高剪切強(qiáng)度燒結(jié)銀膏AS9385燒結(jié)銀膏大功率芯片燒結(jié)銀

更新時(shí)間:2025-10-07 [舉報(bào)]

隨著電動(dòng)車的快速發(fā)展,里程焦慮癥越來越引起高度的重視,一項(xiàng)統(tǒng)計(jì)表明:將純電動(dòng)車 BEV 逆變器中的功率組件改成 SIC 時(shí), 大概可以減少整車功耗 5%-10%;這樣可以提升續(xù)航能力,或者減少動(dòng)力電池成本。

大家可能對(duì)93.277MPa沒有概念,作為對(duì)比,目前市面上的德國(guó)某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為68MPa,美國(guó)某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為67MPa。

現(xiàn)有的銀燒結(jié)技術(shù)需要一定的輔助壓力,高輔助壓力易造成芯片的損傷;善仁新材的有壓燒結(jié)銀AS9375可以無壓燒結(jié);

現(xiàn)有的銀燒結(jié)預(yù)熱、燒結(jié)整個(gè)過程長(zhǎng)達(dá)60分鐘以上,生產(chǎn)效率較低;加壓燒結(jié)銀AS9385整個(gè)燒結(jié)過程可以縮短到20分鐘。

現(xiàn)有的銀燒結(jié)技術(shù)得到的連接層,其內(nèi)部空洞一般在微米或者亞微米級(jí)別,善仁新材的燒結(jié)銀無論是有壓燒結(jié)銀還是無壓燒結(jié)銀都沒有空洞。

隨著第三代半導(dǎo)體器件(如碳化硅和氮化鎵等)越來越多的應(yīng)用在更加高溫、高壓和高頻的環(huán)境,相應(yīng)的封裝材料和結(jié)構(gòu),尤其是芯片-基板的互連,在導(dǎo)熱、導(dǎo)電和可靠性方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。

標(biāo)簽:善仁燒結(jié)銀加壓燒結(jié)銀
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