利用磁控反應濺射技術制備氮化鉭薄膜，對磁控反應濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設計進行優(yōu)化

氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金屬鉭和氮氣為原料制備氮化鉭，反應式如下：2Ta+N2=2TaN。

氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結構，晶格常數α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導轉變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應或700～1000℃下使鉭粉和氮氣反應生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點制造電阻薄膜器件。