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所述熱場73套裝在化料器坩堝72的外側(cè)，便硅料依次進(jìn)入加料坩堝62、裝料器71和化料器坩堝72，并在化料器坩堝72內(nèi)經(jīng)熱場73熔化后又進(jìn)入主爐室坩堝21，為了方便外部加料器6的移動、拆卸和清理，連續(xù)拉晶單晶爐還包括用于驅(qū)動外部加料器6升降的加料器升降驅(qū)動裝置和用于驅(qū)動外部加料器6旋轉(zhuǎn)的加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置，所述外部加料器6通過加料器旋臂8連接在加料器升降驅(qū)動裝置上，以便通過加料器升降驅(qū)動裝置驅(qū)動加料器旋臂8升降，并通過加料器旋臂8帶動外部加料器6升降，所述加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置連接在加料器升降驅(qū)動裝置和加料器旋臂8之間，以便加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置隨加料器旋臂8一起升降，并通過加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置驅(qū)動加料器旋臂8旋轉(zhuǎn)，加料器旋臂8又帶動外部加料器6旋轉(zhuǎn)。藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術(shù)為便于分析研究起見，將整個除塵過程分為有聯(lián)系而又有區(qū)別的如下三個過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段 均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進(jìn)入除塵器的除塵空間，根據(jù)不同的除塵器類型經(jīng)受不同的外力作用，將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移，濃度也越來越大，故捕集推移階段實(shí)質(zhì)也是粉塵濃縮的階段。分離階段 高濃度的塵流向分離界面以后，有兩種機(jī)理在起作用：氣體運(yùn)載粉塵的能力將達(dá)到極限狀態(tài)，懸浮與沉降這對矛盾中，沉降成為主要方面，通過沉降，粉塵從氣體中分離出來。極限狀態(tài)的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關(guān)。
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半導(dǎo)體級直拉法的工藝控制\進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著新興產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新,半導(dǎo)體行業(yè)得到了的發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,尤其近幾年,大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),縮短該行業(yè)與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來替代硅材料,但未來幾年可以預(yù)見,硅材料由于其成熟的技術(shù)品質(zhì)和穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì),將會在相當(dāng)長的一段時間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應(yīng)用的領(lǐng)域也是相當(dāng)廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經(jīng)過物理變化,讓硅原子按照人為設(shè)定的方向進(jìn)行生長,終形成的。一般會采用直拉法進(jìn)行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應(yīng)的增大。這里面涉及到了一系列問題。這篇論文主要討論的是通過對熱場的設(shè)計,工藝的過程控制,減少位錯的產(chǎn)生,以及通過化學(xué)腐蝕對位錯進(jìn)行檢測的相關(guān)問題。
