元素硅是一種灰色、易碎、四價的非金屬化學元素。地殼成分中27.8%是硅元素構成的,僅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比較富的元素。在石英、瑪瑙、隧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅晶片又稱晶圓片,是由硅錠加工而成的,通過的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數(shù)以百萬計的晶體管,被廣泛應用于集成電路的制造。
通過設置設備箱體、卡匣定位結(jié)構、檢測機構和推料機構,使得在晶圓片傳送時能夠通過卡匣定位結(jié)構對卡匣進行定位,然后再通過檢測機構檢測卡匣內(nèi)晶圓片的位置,避免晶圓片錯位,后通過推料機構實現(xiàn)卡匣的傳送,整個傳送過程簡單、易操作,實現(xiàn)自動化傳片,且能夠?qū)A片進行檢測避免晶圓片錯位造成傳片損壞。
切片工序的關鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測的切片系統(tǒng)中,修整工序是通過一套反復試驗來建立的。在刀片負載受監(jiān)測的系統(tǒng)中,修整的終點是通過測量的力量數(shù)據(jù)來發(fā)現(xiàn)的,它建立佳的修整程序。這個方法有兩個優(yōu)點:不需要來佳的刀片性能,和沒有合格率損失,該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質(zhì)量差。
通常來說,對于小芯片減薄劃片時使用UV膜,對于大芯片減薄劃片時使用藍膜,因為,UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制,防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切實之后,直接上倒封裝標簽生產(chǎn)線,那么好使用UV膜,因為倒封裝生產(chǎn)線的芯片一般比較小,而且設備的頂針在藍膜底部將芯片頂起。如果使用較大粘性剝離度的藍膜,可能使得頂針在頂起芯片的過程中將芯片頂碎。
藍膜由于受其溫度影響乃粘性度會發(fā)生變化,而且本身粘性度較高,因此,一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進行后封裝工藝,而非直接進行倒封裝工藝做Inlay時,可以考慮使用藍膜。
內(nèi)圓切割時晶片表層損害層大,給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中;刃口寬。材料損害大。品片出率低;成木高。生產(chǎn)效率低;每一次只有切割一片。當晶圓直徑達到300mm時。內(nèi)圓刀頭外徑將達到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢線切別主導的晶圓切割技術。