芯片從誕展至今經(jīng)歷了幾代的升級(jí)和改造，但一種主要材質(zhì)是沒(méi)有發(fā)生任何變化的，那就是晶圓。眾所周知，一顆芯片在成品之前須讓晶圓經(jīng)歷過(guò)上百個(gè)生產(chǎn)工序才能誕生，它如同藝術(shù)家手里的畫(huà)板一樣，承載著各種電子信息技術(shù)設(shè)計(jì)的意圖。作為芯片的核心材質(zhì)，晶圓一直以來(lái)都是現(xiàn)代電子領(lǐng)域的基礎(chǔ)

由于激光在聚焦上的優(yōu)點(diǎn)，聚焦點(diǎn)可小到亞微米數(shù)量級(jí)，從而對(duì)晶圓的微處理更具有優(yōu)勢(shì)，可以進(jìn)行小部件的加工。即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效進(jìn)行材料加工。激光劃片屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其它損壞現(xiàn)象。

硅晶圓切片工藝是在“后端”裝配工藝中的步。在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(xiàn)(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過(guò)幫助去掉碎片而延長(zhǎng)刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。

在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)的一個(gè)常見(jiàn)的推薦是，選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20μm)是非常脆弱的，更容易過(guò)早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對(duì)于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30μm。

現(xiàn)有晶圓隔道通常采用裂片刀沿著切割線(xiàn)進(jìn)行切開(kāi),使得容易造成芯片隔道交錯(cuò)區(qū)域邊緣崩裂的同時(shí)產(chǎn)生的碎屑不好排出,并且現(xiàn)有的晶圓在裂片時(shí),由于受到不同方向的力進(jìn)行裂片,裂片效率較低,同時(shí)容易讓芯片發(fā)生位移,從而產(chǎn)生劃痕造成損傷。

晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線(xiàn)制成細(xì)如毛發(fā)之探針，與晶粒上的接點(diǎn)接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被淘汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。