當前功率半導體行業(yè)正在面臨SiC和GaN等寬禁帶半導體強勢崛起，隨著電動汽車市場的增量放大，消費者對汽車的高續(xù)航、超快充等要求越來越高，電力電子模塊的功率密度、工作溫度及可靠性的要求也在越來越復雜，封裝成了提升可靠性和性能的關(guān)鍵。封裝是承載器件的載體，也是SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。

與傳統(tǒng)的焊料合金相比，燒結(jié)銀AS9378具有更高的導熱性（200至300W/mK），有可能將從結(jié)到外殼的熱阻降低40%以上，同時顯著提高熔點并降低電阻率。此外根據(jù)下表數(shù)據(jù)可觀察到銀燒結(jié)的高使用溫度接近900℃遠超傳統(tǒng)焊料。

納米銀燒結(jié)成為碳化硅器件封裝核心工藝。相比于傳統(tǒng)的軟釬焊工藝，善仁新材的低溫納米銀燒結(jié)技術(shù)有利于提升產(chǎn)品的可靠性，使用的銀材料具有高導電率、高導熱率等特點，近年頗受業(yè)界關(guān)注。

在功率器件中，流經(jīng)焊接處的熱量非常高，因此需要更加注意芯片與框架連接處的熱性能及其處理高溫而不降低性能的能力。善仁新材的燒結(jié)銀的熱阻要比焊料低得多，因而使用燒結(jié)銀代替焊料能提高RθJC，而且由于銀的熔點較高，整個設(shè)計的熱裕度也提高了。

實現(xiàn)低溫燒結(jié)銀進行大面積封裝的可靠互連，促進電力電子半導體器件的高溫可靠應用是電力電子器件發(fā)展的必然趨勢。

善仁新材作為燒結(jié)銀的者，燒結(jié)銀的分類如下：AS9300系列燒結(jié)銀膏：包括AS9330，AS9335，AS9337燒結(jié)銀