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排氣筒與排氣口相通。上盤的幾個(gè)圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤12 個(gè)圓孔排出去之前，實(shí)際的氣流運(yùn)動(dòng)是很復(fù)雜的。除切向和軸向運(yùn)動(dòng)外還有徑向運(yùn)動(dòng)。這樣含塵氣流會(huì)反復(fù)經(jīng)過金屬網(wǎng)(支撐內(nèi)、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯(cuò)列，很明顯能夠增加氣流穿過金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細(xì)論過除塵機(jī)理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴(kuò)散在這時(shí)將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內(nèi)、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤在內(nèi))。

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設(shè)計(jì)與仿真編輯在直拉法生長硅單晶的過程中，硅單晶生長的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場，不僅硅單晶生長順利,而且品質(zhì)較高；如果熱場的溫度分布不是很合理，生長硅單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷，影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。因此在投資硅單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出合理的熱場,從而保生產(chǎn)出來的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長工藝中,一般采用溫度梯度來描述熱場的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個(gè)低成本的情況下,利用電腦計(jì)算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實(shí)驗(yàn)。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，基于ANSYS軟軸型單晶爐提拉系統(tǒng)晃動(dòng)分析\人工晶體是太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展所需的核心原材料,單晶爐是制造人工晶體的設(shè)備,目前的單晶爐大部分采用軟軸提拉系統(tǒng)。由于受到液/固相變規(guī)律的制約,單晶爐在實(shí)際工作中要求提拉機(jī)構(gòu)既要做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),又要做上升運(yùn)動(dòng),同時(shí)還要保持速度穩(wěn)定,對(duì)中性好,不能出現(xiàn)蠕動(dòng)和擺動(dòng)。提拉系統(tǒng)的晃動(dòng)會(huì)引起生長瞬間微觀擴(kuò)散層的變化,造成有效分凝系數(shù)的變動(dòng),導(dǎo)致微觀摻雜劑濃度分布的徑向不均勻,引起對(duì)流情況不穩(wěn)定,導(dǎo)致生長時(shí)固液界面過冷度的變化,為枝晶生長提供條件[1],會(huì)嚴(yán)重地影響單晶體的內(nèi)在品質(zhì)。