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江蘇錫山多晶硅鑄錠爐回收真空泵回收快速到達(dá)

更新時(shí)間:2025-10-02 [舉報(bào)]
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DL-78型單晶爐的熱場(chǎng)和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸,以提高集成度;另一方面不斷擴(kuò)大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地,作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標(biāo)和增大單晶錠的直徑和長(zhǎng)度,以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國(guó)外市場(chǎng)上,硅晶體直徑大致每4~5年增長(zhǎng)1時(shí)(25.4mm),相應(yīng)地,生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3~5公斤、8~12公斤、15~劉公斤和朋~6O公廳等幾個(gè)等級(jí)。在這發(fā)展中,有兩個(gè)條件是相輔相成、共同進(jìn)步的,這是單晶爐和拉晶工藝。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收,多晶硅鑄錠爐回收,提拉式長(zhǎng)晶爐回收,多晶長(zhǎng)晶爐回收,臥式長(zhǎng)晶爐回收,拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,為了避免下驅(qū)動(dòng)裝置4受到外界震動(dòng)的影響,進(jìn)而保下驅(qū)動(dòng)裝置4的工作精度,所述底座1和下驅(qū)動(dòng)裝置4之間設(shè)置有減震裝置,所述下驅(qū)動(dòng)裝置4的底端設(shè)置有承載板41,所述承載板41通過少兩個(gè)螺釘16固定連接在底座1上,所訴減震裝置包括與螺釘16分別一一對(duì)應(yīng)的下減震橡膠墊171和上減震橡膠墊181,所述下減震橡膠墊171套裝在螺釘16的下端部,所述下減震橡膠墊171的底部和底座1抵接,所述下減震橡膠墊171的頂部和承載板41抵接,以便于通過下橡膠減震171墊吸收從外界傳來的震動(dòng),以避免下驅(qū)動(dòng)裝置4受到外界震動(dòng)的影響,所述上減震橡膠墊172套裝在螺釘16的上端部,且所述上減震橡膠墊172與承載板41的上端面壓接,以避免螺釘16的震動(dòng)影響到承載板41。
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江蘇錫山多晶硅鑄錠爐回收 真空泵回收快速到達(dá)發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時(shí)排出爐內(nèi)的混合氣體,且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長(zhǎng)爐。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是提供一種直拉式單晶生長(zhǎng)爐,其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器;其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術(shù)方案中,還包括設(shè)于直拉式單晶生長(zhǎng)爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導(dǎo)向裝置;該氣流導(dǎo)向裝置為碗形,其包括 設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置底部的中軸孔、設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)的 一對(duì)電極孔、 以及設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對(duì)的通氣孔;該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔,該爐的 一對(duì)電極柱分別穿過所述電極 孔,該爐的排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通,氣流導(dǎo)向裝置的上 端部設(shè)于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。
標(biāo)簽:多晶硅鑄錠爐回收
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