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一種連續(xù)拉晶單晶爐背景技術(shù)：目前，大多數(shù)單晶爐都是采用一次性向主爐室坩堝投料的方法，通常是生產(chǎn)完一爐后，等單晶爐冷卻后，再往主爐室坩堝內(nèi)裝料，進行下一次生產(chǎn)，這樣既浪費了時間，又造成了熱量的流失，且在拉晶棒的過程中，不能進行補料操作，在拉晶棒的后期階段，會因為硅料中某些元素的揮發(fā)而影響晶棒后半部分的質(zhì)量。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種連續(xù)拉晶單晶爐，它可以連續(xù)加料、連續(xù)化料，從而實現(xiàn)連續(xù)拉晶，選用合適的主爐室坩堝可以實現(xiàn)連續(xù)拉制五六根晶棒，減少了冷卻、拆爐、裝爐的時間，提高了生產(chǎn)效率，也減少了熱量的流失。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種連續(xù)拉晶單晶爐，它包括括底座、主爐室、副爐室、下驅(qū)動裝置和上驅(qū)動裝置，所述主爐室和下驅(qū)動裝置均安裝在底座上，

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特點編輯HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，生長Φ8“直拉硅單晶Φ8”熱場研究及數(shù)值模擬\隨著科學(xué)的飛速發(fā)展,出于提高生產(chǎn)率、降低成本的目的,器件廠家隨著生產(chǎn)規(guī)模的擴大逐步要求增大硅片直徑。硅單晶直徑增大后,大熔硅體積、嚴(yán)重的熱對流使單晶氧含量增大。晶體直徑的增大也使結(jié)晶潛熱的散發(fā)更加困難,結(jié)晶速率難以提高。為了解決這兩個問題,本文在國產(chǎn)TDR-80單晶爐的基礎(chǔ)上,對熱場進行了局部改造,施加了新型加強復(fù)合式熱屏。有限元法是一種能求得許多工程問題近似解的數(shù)值分析方法。由于拉單晶過程中投料量較大,爐體結(jié)構(gòu)復(fù)雜、造價昂貴,所以拉晶實驗成本太高。