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特點(diǎn)編輯HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計(jì)。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動(dòng)，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計(jì)，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺(tái)的上面，便于平臺(tái)下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡(jiǎn)便干凈。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，穿過所疼氣流導(dǎo)向裝置(20) 的中軸孔(2-1)，該爐的一對(duì)電極柱(15)分別穿過所述電極孔(2-2)， 該爐的排氣口 (13)與氣流導(dǎo)向裝置(20)的各通氣孔(2-3)相連通，氣 流導(dǎo)向裝置(20)的上端部(2-4)設(shè)于該爐的保溫筒(17)與發(fā)熱體(16) 之間。3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)的中軸孔(2-1)與該爐的石墨中軸(21)活動(dòng)密封連接。4、 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述 氣流導(dǎo)向裝置(20 )的電極孔(2-2 )分別與該爐的電極柱(15 )密封連接。5、

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全文摘要為減少直拉式單晶生長(zhǎng)爐的消耗的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其包括輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)輸入管輸入的氣壓為0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量為30L/min。還包括設(shè)于坩堝支持器下方和排氣口之間的碗形氣流導(dǎo)向裝置；其包括中軸孔、一對(duì)電極孔、以及與排氣口相對(duì)的通氣孔；石墨中軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔，所述電極柱分別穿過所述電極孔，排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，氣流導(dǎo)向裝置的上端部設(shè)于保溫筒與發(fā)熱體之間。