元素硅是一種灰色、易碎、四價的非金屬化學元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的,僅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比較富的元素。在石英、瑪瑙、隧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅晶片又稱晶圓片,是由硅錠加工而成的,通過的工藝可以在硅晶片上刻蝕出數(shù)以百萬計的晶體管,被廣泛應(yīng)用于集成電路的制造。

通過設(shè)置設(shè)備箱體、卡匣定位結(jié)構(gòu)、檢測機構(gòu)和推料機構(gòu),使得在晶圓片傳送時能夠通過卡匣定位結(jié)構(gòu)對卡匣進行定位，然后再通過檢測機構(gòu)檢測卡匣內(nèi)晶圓片的位置，避免晶圓片錯位，后通過推料機構(gòu)實現(xiàn)卡匣的傳送,整個傳送過程簡單、易操作，實現(xiàn)自動化傳片,且能夠?qū)A片進行檢測避免晶圓片錯位造成傳片損壞。

頂面碎片，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個合格率問題，當切片接近芯片的有源區(qū)域時，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進給速度。
背面碎片發(fā)生在晶圓的底面，當大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴散開并匯合到一起的時候。當這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時候，BSC變成一個合格率問題。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不計。另一方面，當尺寸大于25um時，可以看作是潛在的受損?？墒牵?0um的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定。

在切片或任何其它磨削過程中，在不超出可接受的切削質(zhì)量參數(shù)時，新一代的切片系統(tǒng)可以自動監(jiān)測施加在刀片上的負載，或扭矩。對于每一套工藝參數(shù)，都有一個切片質(zhì)量下降和BSC出現(xiàn)的極限扭矩值。切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的相互關(guān)系，和其變量的測量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數(shù)可以實時調(diào)整，使得不超過招矩極限和獲得大的進給速度。
晶圓倒片機是用來調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列位置的一款設(shè)備，它的任務(wù)是將產(chǎn)線上的晶圓通過制程需要進行分批、合并、翻轉(zhuǎn)后進行下一道程序，這就要求晶圓倒片機擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環(huán)境要求下制造更好的芯片。
內(nèi)圓切割時晶片表層損害層大，給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產(chǎn)效率低；每一次只有切割一片。當晶圓直徑達到300mm時。內(nèi)圓刀頭外徑將達到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢線切別主導的晶圓切割技術(shù)。