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燒結(jié)銀工藝耐溫400度銀膏進(jìn)口燒結(jié)銀替代

更新時(shí)間:2025-10-08 [舉報(bào)]
導(dǎo)電膠分類和導(dǎo)電銀膠的應(yīng)用

無(wú)壓燒結(jié)銀優(yōu)勢(shì)、銀燒結(jié)流程及燒結(jié)銀應(yīng)用
隨著高功率芯片,器件和模組的日益發(fā)展,散熱性需要大幅度的提高,無(wú)壓燒結(jié)銀是解決散熱性的。

剪切強(qiáng)度大(剪切強(qiáng)度大于80MPA(2*2鍍金芯片));
4.操作簡(jiǎn)單(無(wú)需加壓,普通烘箱即可燒結(jié));

三、無(wú)壓燒結(jié)銀的應(yīng)用
1.功率半導(dǎo)體應(yīng)用
燒結(jié)銀技術(shù)功率測(cè)試板塊一旦通過(guò)了高溫循環(huán)測(cè)試,就可以至少提高五倍的壽命,實(shí)現(xiàn)從芯片到散熱器的封裝連接。

需要形成金屬鍍層與基板之間的原子擴(kuò)散,形成原子結(jié)合。該連接需要在AS9375系列燒結(jié)銀互連過(guò)程中穩(wěn)定,需要在可靠性測(cè)試:比如溫度循環(huán)測(cè)試,高低溫測(cè)試等測(cè)試中保持高剪切強(qiáng)度的連接,并且具有較低的界面熱阻。

3、電阻和熱阻盡量低
無(wú)壓燒結(jié)銀AS9376導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能需要具有盡量低的界面電阻和界面熱阻,來(lái)良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能;

低溫?zé)o壓燒結(jié)銀AS9376可以實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度的低溫?zé)Y(jié)銀的互連,可以無(wú)需額外的熱壓設(shè)備,大大降低生產(chǎn)成本,這對(duì)于拓展燒結(jié)銀互連材料和技術(shù)具有非常重要的理論和應(yīng)用價(jià)值。

標(biāo)簽:高導(dǎo)熱銀膏碳化硅燒結(jié)銀
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