在紫外光照射下，吸收了光能量的光引發(fā)劑分解成游離基引發(fā)單體進行光聚合反應，形成不溶于稀堿的溶液的體型分子。要使每種干膜聚合效果好，就有一個佳的曝光量。從光能量的定義公式可知，總曝光量E是光強度I和曝光時間T的乘積。若光強度I不變，則曝光時間T就是直接影響曝光總量的重要因素。曝光不足時，由于聚合不，在顯影過程中，膠膜溶脹變軟，導致線條不清晰甚至膜層脫落，造成膜與銅結合不良；若曝光過度，會造成顯影困難，也會在電鍍過程中產生起翹剝離，形成滲鍍。所以，解決的工藝措施就是嚴格控制曝光時間，每種類型的干膜在起用時應按工藝要求進行測量。如采用瑞士頓21級光楔表，級差0.15，以控制6-9級為宜。

當曝光過度時，紫外光透過照相底片上透明部分并產生折射、衍射現(xiàn)象，照射到照相底片不透明部分下的干膜處，使本來不應該發(fā)生光聚合反應的該部分干膜，被部分曝光后發(fā)生聚合反應，顯影時就會產生余膠和線條過細的現(xiàn)象。因此，適當的控制曝光時間是控制顯影效果的重要條件。

PCB 顯影是制作印刷電路板 (PCB)的重要步驟之一。它是通過化學反應將光敏膠層中未曝光的部分去除，從而形成電路圖案。這個過程需要嚴格控制時間、溫度和化學藥品的濃度，以確保電路板的質量和穩(wěn)定性。