銥粉回收， 銥粉在半導體封裝中的回收技術
半導體封裝用銥濺射靶材（純度>99.995%）的回收工藝：

廢料特征：

靶材殘體含Ir 85-92%，摻雜Al?O?或SiO?散熱層。

分離技術：

高壓水射流（350MPa）剝離陶瓷層（效率>99%）。

真空感應熔煉（1600℃）去除氧化物夾雜。

再生標準：

參數(shù) SEMI F47標準 再生靶材
電阻率(μΩ·cm) ≤5.3 5.1
晶粒尺寸(μm) 10-50 35
市場影響：臺積電采用該技術后，靶材采購成本下降28%。

銥粉回收在超導材料中的回收應用
Nb?Sn超導線材銥阻隔層的回收：

材料解構(gòu)：

液氮冷凍脆化后機械剝離（-196℃）。

純化工藝：

電子束熔煉（10??Pa）去除Sn殘留。

再生指標：

臨界電流密度Jc>3000A/mm2（4.2K,12T）。

行業(yè)影響：歐洲核子研究中心（CERN）年回收銥1.2噸。



銥粉回收在質(zhì)子交換膜（PEM）電解槽中的閉環(huán)回收
PEM電解槽銥催化劑（IrO?/Ti）的回收創(chuàng)新：

失效機理：

催化劑層剝落導致Ir載量從2mg/cm2降至0.3mg/cm2。

回收技術：

超臨界CO?（40℃/25MPa）剝離全氟磺酸膜。

電化學溶解（0.5M H?SO?+0.1M Ce??）選擇性提取Ir。

再生指標：

OER過電位僅290mV@10mA/cm2，接近新品性能。

行業(yè)影響：西門子能源計劃2025年實現(xiàn)PEM電解槽銥回收。